电子行业公司笔试题目分享：

1、请描述一下国内的工艺现状。(仕兰微面试题目)

2、半导体工艺中，掺杂有哪几种方式(仕兰微面试题目)

3、描述你对集成电路工艺的认识。(仕兰微面试题目)

4、列举几种集成电路典型工艺。工艺上常提到0.25,0.18指的是什么(仕兰微面试题目)

5、描述cmos电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果(仕兰微面试题目)

6、解释latch-up现象和antenna effect和其预防措施.(未知)

7、什么叫latchup(科广试题)

8、什么叫窄沟效应 (科广试题)

9、什么是nmos、pmos、cmos什么是增强型、耗尽型什么是pnp、npn他们有什么差别(仕兰微面试题目)

10、硅栅coms工艺中n阱中做的是p管还是n管，n阱的阱电位的连接有什么要求(仕兰微面试题目)

11、画出cmos晶体管的cross-over图(应该是纵剖面图)，给出所有可能的传输特性和转移特性。(infineon笔试试题)

12、以interver为例,写出n阱cmos的process流程,并画出剖面图。(科广试题)

13、please explain how we describe the resistance in semiconductor. compare the resistance of a metal,poly and diffusion in tranditional cmos process.(威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09)

14、说明mos一半工作在什么区。(凹凸的题目和面试)

15、画p-bulk 的nmos截面图。(凹凸的题目和面试)

16、写schematic note()， 越多越好。(凹凸的题目和面试)

17、寄生效应在ic设计中怎样加以克服和利用。(未知)

18、unix 命令cp -r, rm,uname。(扬智电子笔试)

19、太底层的mos管物理特性感觉一般不大会作为笔试面试题，因为全是微电子物理，公式推导太罗索，除非面试出题的是个老学究。ic设计的话需要熟悉的软件:

cadence,synopsys, avant，unix当然也要大概会操作。